碳化硅微粉廠(chǎng)家分析碳化硅碳過(guò)量的原因

    碳化硅的種類(lèi)有很多，這其中就包括碳化硅微粉。碳化硅微粉結(jié)晶細(xì)小，呈針狀。這是因?yàn)闋t料中Si02較少，所以因SiO2蒸發(fā)而留下的空隙較少，sic晶體缺乏生長(zhǎng)空間，所以比較細(xì)小，若干細(xì)小晶體沿著氣流方向成放射狀排列，就似針狀了。結(jié)晶筒內(nèi)有游離炭粒。這是碳過(guò)量嚴(yán)重時(shí)的明顯特征。很容易出現(xiàn)炭粒的部位是結(jié)晶倚的下部和外側(cè)，因?yàn)楦鶕?jù)氣體流動(dòng)的方向，這些地方硅化劑蒸氣的濃度較低。

    其實(shí)碳化硅微粉的本質(zhì)也是碳化硅，所以想要生產(chǎn)出高品質(zhì)的碳化硅微粉，還是要從冶煉碳化硅開(kāi)始。而在冶煉碳化硅時(shí)，常出現(xiàn)的問(wèn)題就是碳過(guò)量。通過(guò)總結(jié)多年的冶煉經(jīng)驗(yàn)，我們分折出導(dǎo)致碳化硅碳過(guò)量的原因，分別是混料不均可產(chǎn)生局部碳過(guò)量；爐料配比碳過(guò)量。與爐料硅過(guò)量一樣，其可能的原因有：原材料取樣、化驗(yàn)、算料、配料有誤，配方設(shè)計(jì)不合理；碳質(zhì)原料粒度過(guò)粗，反應(yīng)不完全；送電時(shí)間短或冶煉功率低，爐心過(guò)大等造成sic結(jié)晶分解層較薄，補(bǔ)充的硅化劑蒸氣來(lái)源比正常少。

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