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造成碳化硅碳元素過量的原因

時間:2019/6/26 12:54:00 來源:http://bookinup.com/news93047.html

    在冶煉碳化硅時,也會由于各種因素,生產(chǎn)出品質不合格的碳化硅。而碳元素過量是碳化硅較常見的問題之一。結晶筒內(nèi)有游離炭粒,是碳過量嚴重時的明顯特征,容易出現(xiàn)炭粒的部位是結晶倚的下部和外側,因為根據(jù)氣體流動的方向,這些地方硅化劑蒸氣的濃度較低。那么,造成碳化硅碳元素過量的原因有哪些呢。

    1、混料不均可產(chǎn)生局部碳過量。

    2、爐料配比碳過量。與爐料硅過量一樣,主要原因有,原材料取樣、化驗、算料、配料有誤,配方設計不合理。

    3、碳質原料粒度過粗,反應不完全。

    4、送電時間短或冶煉功率低,爐心過大等造成sic結晶分解層較薄,補充的硅化劑蒸氣來源比正常少。


    其實,在冶煉碳化硅時,如果出現(xiàn)碳過量的問題,可適當增加冶煉功率或延長冶煉時間以增加sic的分解。我公司從事碳化硅生產(chǎn)及銷售工作多年,在碳化硅生產(chǎn)方面有著成熟的技術,豐富的經(jīng)驗,可以根據(jù)用戶的需求,推薦及提供,經(jīng)濟實用的碳化硅。

相關標簽:碳化硅,

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